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富士通电子推出可在125℃高温下稳定运行的最新4Mbit FRAM

2021-07-24 16:15:55 来源:富士通
富士通电子元器件(上海)有限公司近日宣布,推出型号为MB85RS4MTY的4Mbit FRAM,其容量达到FRAM产品最高水平,运作温度最高可达125℃。目前可为客户提供评测版样品。

 
这款全新FRAM是非易失性内存产品,在125℃高温环境下可以达到10兆次读/写次数,工作电流低,是工业机器人和高级驾驶辅助系统(ADAS)等汽车应用的最佳选择。
 
FRAM的读/写耐久性、写入速度和功耗均优于EEPROM和闪存,并已量产20多年,近年来广泛用于可穿戴设备、工业机器人和无人机。
 
自去年发布以来,2Mbit FRAM MB85RS2MTY已在汽车和工业设备中获得广泛应用,而MB85RS4MTY将其容量提高了一倍,达到4M bit,满足更高容量的需求,配有SPI接口,工作电压为1.8V至3.6V。由于这款FRAM工作电流低,即使在125℃高温下,最大工作电流仅为4mA(运作频率50MHz),最大掉电模式电流为30µA,因此有助于降低环境敏感应用的功耗。
 
这款全新FRAM在-40℃至+ 125℃温度范围内可以达到10兆次读/写次数,适合某些需要实时数据记录的应用。例如,每0.03毫秒重写一次数据,同一地址连续记录数据可达10年之久。
 
这款FRAM产品采用业界标准8-pin SOP封装,可轻松取代现有类似引脚的EEPROM。此外,还提供8-pin DFN(无引线双侧扁平)封装。
 


图1:MB85RS4MTY 8-pin DFN(顶部・底部)

图2:FRAM应用实例
 
 
 
富士通电子将继续提供内存产品和解决方案,满足市场和客户的未来需求。
 
关键规格

  • 组件型号:MB85RS4MT
  • 容量(组态):4 Mbit(512K x 8位)
  • 接口:SPI(Serial Peripheral Interface)
  • 运作频率:最高50 MHz
  • 运作电压:1.8V - 3.6V
  • 运作温度范围:-40°C - +125°C
  • 读/写耐久性:10兆次(1013次)
  • 封装规格:8-pin DFN,8-pin SOP
 
词汇与备注
铁电随机存取内存(FRAM)
FRAM是一种采用铁电质薄膜作为电容器以储存数据的内存,即便在没有电源的情况下仍可保存数据。FRAM结合了ROM和RAM的特性,并拥有高速写入数据、低功耗和高速读/写周期的优点。富士通自1999年即开始生产FRAM,亦称为FeRAM。


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